Diodes Inc. DMC2400UV-7
$ 0.102
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMC2400UV-7 | 334 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMC2400UV-7 | 2 | 2 | |||||||||
| TME | DMC2400UV-7 | 5 | 1 | 4h | ||||||||
| Avnet | DMC2400UV-7 | 0 | 3K | 4d | ||||||||
| Future Electronics | DMC2400UV-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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Pièces détachées
Diodes Inc.DMC2450UV-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
onsemiNTZD3156CT1G
Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual Complementary SOT-563 With 100K G-S Resistors
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMC2400UV-7 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N/P-CH 20V SOT563 / Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.030A/0.7A 6-Pin SOT-563 T/R
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 1.03 A, 1.03 A, 0.3 ohm
N & P Channel 20 V 480 mOhm Enhancement Mode Mosfet - SOT-563
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-563 Polarity: N/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 1 W
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.03A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.03 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Input Capacitance37.1 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation450 mW
Rds On Max480 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13.74 ns
Turn-On Delay Time4.06 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.7 mm
Width1.25 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité