Diodes Inc. DMN4800LSS-13
$ 0.208
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN4800LSS-13 | 2 500 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN4800LSSDICT-ND | 24 956 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN4800LSS-13 | 0 | 1 | 18h | ||||||||
| Avnet | DMN4800LSS-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Future Electronics | DMN4800LSS-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +138%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. DMN4800LSS-13.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles Diodes Inc. DMN4800LSS-13, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP3035LSS-13
P-Channel 30 V 16 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMP3056LSS-13
MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 7.1A 8-Pin SOP T/R
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN4800LSS-13 fournies par ses distributeurs.
N-Channel 30 V 16 mO 9.47 nC SMT Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
Mosfet, N-Ch, 30V, 8.6A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4800LSS-13
MOSFET N-Channel 30V 9A SOIC8P
Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A Automotive 8-Pin SOP T/R
1.46W(Ta) 25V 1.6V@ 250¦ÌA 9.47nC@ 5 V 1N 30V 16m¦¸@ 9A,10V 9A 798pF@10V SOIC-8 4.95mm*3.95mm*1.5mm
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
30V 9A 1.46W 16mΩ@10V,9A 1.6V@250uA N Channel SO-8 MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 8.6A, SOIC;
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : +138%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance798 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.46 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.7 W
Rds On Max16 mΩ
Rise Time4.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.33 ns
Turn-On Delay Time5.03 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour Diodes Inc. DMN4800LSS-13.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité