Diodes Inc. DMP3056LSD-13
$ 0.338
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP3056LSD-13 | 854 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP3056LSD-13 | 2 500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMP3056LSD-13 | 2 500 | 2500 | |||||||||
| TME | DMP3056LSD-13 | 1 521 | 1 | 4h | ||||||||
| DigiKey | DMP3056LSD-13DICT-ND | 5 936 | 1 | Cut Tape |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMP3056LSD-13 fournies par ses distributeurs.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
Mosfet, Dual, P-Ch, 30V, 6.9A Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP3056LSD-13
DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: P/P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2.5 W
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance45 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time14.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance722 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max45 mΩ
Rise Time5.3 ns
Turn-Off Delay Time26.5 ns
Turn-On Delay Time6.4 ns
Dimensions
Height1.7 mm
Length5.3 mm
Width4.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité