Diodes Inc. DMN30H4D0L-7
$ 0.264
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN30H4D0L-7 | 0 | 1 | 12h | ||||||||
| Newark | DMN30H4D0L-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN30H4D0L-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN30H4D0L-7 | 0 | 3K | 14h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN30H4D0L-7 | 0 | 3K |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-02-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Pièces détachées
InfineonBSS138NH6433XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 3.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMN30H4D0L-7 fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 300V 250MA SOT23 / N-Channel 300 V 250mA (Ta) 310mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Mosfet, N-Ch, 300V, 0.25A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN30H4D0L-7
MOSFET N-Ch Enh FET 300V 20Vgs 0.25A 0.31W
300V 250mA 310mW 4Ω@10V,300mA 3V@250uA N Channel SOT-23 MOSFETs ROHS
Trans MOSFET N-CH 300V 0.25A 3-Pin SOT-23 T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 300 V, RoHS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 300V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)250 mA
Drain to Source Breakdown Voltage300 V
Drain to Source Resistance4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)300 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance187.3 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation470 mW
Min Breakdown Voltage300 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation310 mW
Rds On Max4 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time25.8 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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