Diodes Inc. DMG4466SSS-13
$ 0.161
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG4466SSS-13 | 1 030 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMG4466SSS-13DICT-ND | 11 286 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG4466SSS-13 | 0 | 1 | 2h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMG4466SSS-13 | 0 | 25 | Bulk | 2h | |||||||
| Avnet | DMG4466SSS-13 | 0 | 2500 | 15h |
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
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Fiches techniques et documents
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Pièces détachées
onsemiNTMS4800NR2G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 4.9A Ta 6.4A 2W 6.5ns
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMG4466SSS-13 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 10 A, 0.015 ohm, SOIC, Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 30V, 10A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG4466SSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 10A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET N-CHANNEL 30V 10A SOIC8
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 30V, 0.023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 10 A, SOIC, , 8
MOSFET N-Ch MOSFET 30V 60A IDM 1.42W PD
N-Channel 30V 10A (Ta) 1.42W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance478.9 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.42 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.42 W
Rds On Max23 mΩ
Rise Time7.9 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time14.6 ns
Turn-On Delay Time2.9 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité