Diodes Inc. BCX5316TA
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Stock
1,043,754
3,702,589
3,702,589
Authorized Distributors
6
4
4
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-89
SOT
SOT
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
1 A
1 A
1 A
Transition Frequency
150 MHz
145 MHz
145 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
-500 mV
-500 mV
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
1 W
1.35 W
1.35 W
Pièces détachées
Diodes Inc.BCX5616QTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-89, Surface Mount
ROHM2SD1898T100Q
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SB1260T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. BCX5316TA fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 80 V, 500 mA, 1 W, SOT-89, Surface Mount
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT PNP 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R / TRANS PNP 80V 1A SOT-89
BCX5316 Series 1 A 80 V SMT PNP Silicon Planar Medium Power Transistor - SOT-89
General Purpose Transistors PNP Ic=1A Vceo=80V hfe=40~250 P=2W SOT89
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
TRANSISTOR, PNP, 80V, SOT-89; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:150MHz; Power Dissipation Pd:1W; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:100; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:500mV; Continuous Collector Current Ic Max:1A; Current Ic Continuous a Max:1A; Current Ic hFE:150mA; Gain Bandwidth ft Min:150MHz; Gain Bandwidth ft Typ:150MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:1W; Power Dissipation Ptot Max:1W; Pulsed Current Icm:1.5A; Termination Type:SMD; Voltage Vcbo:100V
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current-1 A
Current Rating-1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)-80 V
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité