Diodes Inc. BC858C-7-F
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Production
Prix et stock
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Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BC858C-7-F | 1 068 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | BC858C-7-F | 3 000 | 3K | |||||||||
| TME | BC858C-7-F | 1 169 | 1 | 3h | ||||||||
| DigiKey | 31-BC858C-7-FCT-ND | 5 358 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BC858C-7-F | 0 | 3K | 15h |
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$ 0.048
$ 0.031
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Stock
3,238,601
19,544,919
19,544,919
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-23
SOT-23-3
SOT-23-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
30 V
30 V
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
200 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
-650 mV
-650 mV
-650 mV
hFE Min
420
420
420
Power Dissipation
300 mW
-
-
Pièces détachées
Diodes Inc.BC858B-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.BC858A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. BC858C-7-F fournies par ses distributeurs.
BC858C Series 30 V 100 mA Surface Mount PNP Small Signal Transistor - SOT23
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
General Purpose Transistors PNP Ic=100mA Vceo=30V hfe=420~800 P=350mW SOT23
BIPOLAR TRANSISTOR PNP SOT-23 ROHS 3K
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
PNP Small Signal Transistor SOT-23
TRANSISTOR, PNP, SOT23; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -30V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: -100mA; DC Current Gain hFE: 600hFE; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2019); Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): -650mV; Current Ic Continuous a Max: -100mA; Gain Bandwidth ft Typ: 200MHz; Hfe Min: 420; Operating Temperature Min: -65°C; Operating Temperature Range: -65°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Small Signal
Transistor, Pnp, -30V, -100Ma, 300Mw, Sot-23; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:-30V; Frecuencia De Transición Ft:200Mhz; Disipación De Potencia Pd:300Mw; Corriente De Colector Dc:-100Ma; Núm. De Contactos:3 |Diodes Inc. BC858C-7-F
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)30 V
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min420
Max Collector Current100 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency200 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité