Vishay SI7461DP-T1-E3
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Stock
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752,920
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
-60 V
Continuous Drain Current (ID)
8.6 A
8.6 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
14.5 mΩ
14.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.9 W
1.9 W
Input Capacitance
-
-
Cadena de suministros
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-11-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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DMT6016 Series 60 V 9.2 A 18 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOIC-8
VishaySI7850DP-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7461DP-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.
SI7461DP-T1-E3 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8.6 A, 60 V, 8-PIN SOIC
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 8.6 A, 14.5 mOhm, PowerPAK SO, 8 Pins, Surface Mount
Power Field-Effect Transistor, 8.6A I(D), 60V, 0.0145ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 8-Pin PowerPAK SO T/R
P CHANNEL MOSFET, -60V, 12.6A, SOIC
1.9W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 190nC@ 10 V 1P 60V 14.5m¦¸@ 14.4A,10V 8.6A 121pF@30V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-60V; Continuous Drain Current, Id:-12.6A; On Resistance, Rds(on):0.19ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance14.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.4 W
Manufacturer Package IdentifierS17-0173-Single
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-3 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.9 W
Rds On Max14.5 mΩ
Resistance14.5 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time205 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.17 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento