Vishay SI7850DP-T1-E3

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
$ 1.042
NRND
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DistributorSKUMinPkg
Newark
2
SI7850DP-T1-E350151Cut Tape
CoreStaffST6369987628841
1h
DigiKey
3
SI7850DP-T1-E3CT-ND41151Cut Tape
TTISI7850DP-T1-E303KTape & Reel
10h
TTI EuropeSI7850DP-T1-E330003KTape & Reel
11h

Fichas técnicas y documentos

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ODG (Origin Data Global)

Datasheet12 páginasHace 6 años

Newark

Farnell

Future Electronics

iiiC

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
VishaySI7850DP-T1-E3
VishaySI7850DP-T1-GE3
Price @ 1000
$ 1.042
$ 1.025
Stock
423,421
552,471
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
6.2 A
6.2 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
22 mΩ
22 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
-
-

Cadena de suministros

Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-11
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
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Detalles

Descripciones

Descripciones de Vishay SI7850DP-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.

Trans MOSFET N-CH 60V 6.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Cut TR (SOS) (Alt: SI7850DP-T1-E3/BKN)
Component Sense
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 6.2 A, 0.022 ohm, PowerPAK SO, Surface Mount
Avnet
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 60V, RDS(ON) 0.018OHM, ID 6.2A, POWERPAK SO-8,PD 1.8W,-55C
RS (Formerly Allied Electronics)
MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.3A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):22mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:1.8W; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.3A; Package / Case:SOIC PowerPAK; Power Dissipation Pd:1.8W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:3V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
MOSFET, N SO-8 REEL 3K; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:60V; Current, Id Cont:6.2A; Resistance, Rds On:0.031ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC PowerPAK; Termination Type:SMD; Current, Idm Pulse:40A; External Depth:5.26mm; External Length / Height:1.2mm; N-channel Gate Charge:27nC; No. of Pins:8; Power Dissipation:1.8W; Power, Pd:1.8W; Power, Ptot:1.8W; Quantity, Reel:3000; Resistance, Rds on Max:0.022ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.3°C/W; Voltage, Vds Max:60V; Voltage, Vgs Max:20V; Voltage, Vgs th Min:1V; Width, External:6.2mm; Width, Tape:12mm
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Imágenes

Vishay
Newark
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element14 APAC
RS
Future Electronics
UTSource
Component Sense
Component Sense
element14
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Conrad

Alias de fabricantes

Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SI7850DP-T1 E3
  • SI7850DP-T1--E3
  • SI7850DP-T1-E3.
  • SI7850DP-T1E3