Vishay SI7308DN-T1-GE3
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Stock
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
5.4 A
5.4 A
Threshold Voltage
3 V
3 V
Rds On Max
58 mΩ
58 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.2 W
3.2 W
Input Capacitance
665 pF
665 pF
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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 20 Milliohms;ID 7A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7308DN-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
Si7308DN Series N-Channel 60 V 58 mOhms SMT Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Trans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R / MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
N-channel MOSFET, 30V, 20A, Vishay, PowerPAK SO-8
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3.2W(Ta),19.8W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 20nC@ 10 V 1N 60V 58m¦¸@ 5.4A,10V 6A 665pF@15V SMD 3.3mm*3.3mm*1.04mm
N CHANNEL MOSFET, 60V, 6A, POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 60V, 6A, POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):72mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance665 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation19.8 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.2 W
Rds On Max58 mΩ
Resistance58 MΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento