Vishay SI2318CDS-T1-GE3
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN3404L-7
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Descripciones
Descripciones de Vishay SI2318CDS-T1-GE3 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 40 V 0.042 Ohm 2.1 W Surface Moun Power Mosfet - SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5.6 A, 40 V, 3-PIN SOT-23
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 40V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET,N CH,40V,5.6A,DIODE,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Current Id Max:4.3A; Power Dissipation Pd:1.25W; Voltage Vgs Max:20V
Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance340 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.25 W
Rds On Max42 mΩ
Resistance42 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time14 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height1.12 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento