Diodes Inc. ZXMN3F30FHTA
$ 0.227
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN3F30FHTA | 4110 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXMN3F30FHTA | 12.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN3F30FHTA | 12.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | ZXMN3F30FHTA | 6000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | ZXMN3F30FHCT-ND | 55.345 | 1 | Cut Tape |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.DMN3404L-7
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.DMN3110S-7
Mosfet, N-Ch, 30V, 2.5A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3110S-7
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMN3F30FHTA suministradas por sus distribuidores.
ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
Trans MOSFET N-CH 30V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 4.6 A, SOT-23, , 3
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CHANNEL 30V 4.6A SOT23
MOSFET, N, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.6A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):47mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:4.6A; On State Resistance @ Vgs = 4.5V:65mohm; On State resistance @ Vgs = 10V:47mohm; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:1.4W; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance318 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max47 mΩ
Resistance47 mΩ
Rise Time2.6 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time1.6 ns
Dimensions
Height1.02 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento