Diodes Inc. DMG2307L-7
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Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23
SOT-23
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-
Continuous Drain Current (ID)
2.5 A
2.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
90 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
760 mW
-
Input Capacitance
371.3 pF
-
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N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
InfineonIRFML8244TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package, SOT23-3, RoHS
InfineonBSS316NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 1.4 A, 160 mOhm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMG2307L-7 suministradas por sus distribuidores.
P Channel 30 V 90 mO 1.36 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
P-Channel Enhancement MOSFET SOT-23
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Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex PMOS, Vds=30 V, 2 A, SOT-23, , 3
MOSFET, P CH, -30V, -2.5A, 0.76W; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.5A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.07ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -3V;
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance134 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance371.3 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.36 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Power Dissipation760 mW
Rds On Max90 mΩ
Rise Time7.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time22.4 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento