Texas Instruments CSD18503Q5AT
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Stock
394,399
6,267,089
Authorized Distributors
3
3
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
19 A
19 A
Threshold Voltage
-
1.8 V
Rds On Max
-
4.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
-
3.1 W
Input Capacitance
-
2.64 nF
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
Recursos de ingeniería
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Diseños de referencia
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Descripciones
Descripciones de Texas Instruments CSD18503Q5AT suministradas por sus distribuidores.
40-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 5 mm x 6 mm, 4.3 mOhm 8-VSONP -55 to 150
Trans MOSFET N-CH Si 40V 19A 8-Pin VSONP EP T/R
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0062ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
Texas Instruments tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Texas Instruments también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingCopper, Tin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Resistance4.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Rise Time8.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time4.5 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length4.9 mm
Thickness1 mm
Width6 mm