STMicroelectronics STW57N65M5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R080CFDAFKSA1
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW57N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STW57N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 42 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 650V, 0.063ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 650V, 42A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:42A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW57N65M5
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -0.90%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)42 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance63 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time19 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Rds On Max63 mΩ
Resistance63 mΩ
Rise Time15 ns
Turn-Off Delay Time12 ns
Turn-On Delay Time73 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant