STMicroelectronics STW45N65M5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-02-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
InfineonIPW65R080CFDAFKSA1
Power MOSFET, AEC-Q101, N Channel, 650 V, 43.3 A, 0.072 ohm, TO-247, Through Hole
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW45N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube / MOSFET N-CH 650V 35A TO247
STW45N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 35 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Mosfet, N-Ch, 35A, 650V, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:35A; On Resistance Rds(On):0.067Ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW45N65M5.
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -25.09%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.375 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation208 W
Rds On Max78 mΩ
Resistance78 MΩ
Turn-Off Delay Time79.5 ns
Turn-On Delay Time79.5 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant