STMicroelectronics STW56N65M2
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW56N65M2 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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STW56N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 49 A, 650 V, 3-PIN TO-247
PowerPC e300c3 Microprocessor IC MPC83xx 1 Core, 32-Bit 200MHz 369-PBGA (19x19)
Mosfet, N-Ch, 650V, 49A, 150Deg C, 358W; |Stmicroelectronics STW56N65M2
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -4.78%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)49 A
Drain to Source Resistance62 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation358 W
Min Breakdown Voltage650 V
Number of Elements1
Rds On Max62 mΩ
Turn-Off Delay Time146 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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