STMicroelectronics STW56N65M2
$ 5.263
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STW56N65M2 | 150 | 600 | 10h | ||||||||
| Newark | STW56N65M2 | 23 | 1 | |||||||||
| TME | STW56N65M2 | 20 | 1 | 6h | ||||||||
| DigiKey | 497-15594-5-ND | 92 | 1 | Tube | ||||||||
| Future Electronics | STW56N65M2 | 0 | 600 | Tube |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 months ago)
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STMicroelectronicsSTW56N60DM2
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW56N65M2 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.049 Ohm typ., 49 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-247 package
Power Field-Effect Transistor, 49A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
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STW56N65M2 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 49 A, 650 V, 3-PIN TO-247
MOSFET, N-CH, 650V, 49A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:650V; Continuous Drain Current Id:49A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)49 A
Drain to Source Resistance62 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.9 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation358 W
Number of Elements1
Rds On Max62 mΩ
Turn-Off Delay Time146 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
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