STMicroelectronics STW38N65M5
$ 3.72
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -24.36%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STW38N65M5 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-06-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTW45N65M5
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A, MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW36N55M5
N-channel 550 V, 0.06 Ohm, 33 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW42N65M5
N-channel 650 V, 0.070 Ohm typ., 33 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW65R110CFDAFKSA1
N-Channel 650 V 31.2 A 277.8 W 110 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO247-3
InfineonIPW65R099C6FKSA1
278W 20V 2.5V 127nC@ 10V 1N 650V 99m¦¸@ 10V 38A 2.78nF@ 100V TO-247 16.13mm*5.21mm*21.1mm
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW38N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
N-Channel 710 V 190 W 0.095 Ohm Flange Mount Mdmesh V Mosfet - TO-247
STW38N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 30 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 650V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 650V, 30A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.073Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW38N65M5
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -24.36%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)30 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance95 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max95 mΩ
Resistance95 mΩ
Rise Time9 ns
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time66 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant