STMicroelectronics STW36NM60ND
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Obsolete
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-12-01
LTD Date2024-06-01
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VishaySIHW33N60E-GE3
MOSFET, N CH, 600V, 33A, TO-247AD-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW36NM60ND suministradas por sus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel 600 V 110 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-247-3
STW36NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 29 A, 650 V, 3-Pin TO-247
MOSFET N-CH 600V 29A TO247 / N-Channel 600 V 29A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3
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Mosfet, N-Ch, Aec-Q101, 600V, 29A, To-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:29A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW36NM60ND
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -2.45%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)29 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time61.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.785 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation190 W
Rds On Max110 mΩ
Resistance110 mΩ
Rise Time53.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time111 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant