STMicroelectronics STW40N60M2
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onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW40N60M2 suministradas por sus distribuidores.
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N-Channel 600 V 0.088 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET 250W(Tc) 25V 4V@250µA 57nC@10V N-Ch 600V 88mΩ@17A,10V 34A 2.5nF@100V TO-247-3 TH 24.45mm H
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 34A, 150度 C, 250W;
MOSFET, N-CH, 600V, 34A, 150DEG C, 250W;
Power MOSFETs, 600V, 34A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
|Stmicroelectronics STW40N60M2
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)34 A
Drain to Source Resistance88 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max88 mΩ
Rise Time13.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time96 ns
Turn-On Delay Time20.5 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant