STMicroelectronics STWA45N65M5
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-12-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-09-29
LTD Date2026-03-29
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTWA57N65M5
N-channel 650 V, 0.056 Ohm typ., 42 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
onsemiFCH067N65S3-F155
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® III, Easy Drive, 650 V, 44 A, 67 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTW48N60M2
N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
onsemiFCH099N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 37 A, 99 mΩ, TO-247
STMicroelectronicsSTWA48N60M2
N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 long leads package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STWA45N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.067 Ohm typ., 35 A MDmesh M5 Power MOSFET in TO-247 long leads package
210W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 82nC@ 10 V 1N 650V 78m¦¸@ 17.5A,10V 35A 3.47nF@100V TO-247 20.15mm
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 650V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Mosfet, N-Ch, 650V, 35A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.067Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STWA45N65M5
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)35 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance78 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.47 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation210 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation210 W
Rds On Max78 mΩ
Rise Time11 ns
Turn-Off Delay Time16 ns
Turn-On Delay Time79.5 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant