STMicroelectronics STW21N65M5
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-27
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2015-01-31
LTD Date2015-07-31
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STMicroelectronicsSTW25NM60ND
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
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N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW21N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247
Trans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET N-Channel 650V 17A 190mΩ@8.5A,10V 1.95nF@100V 25V 5V@250µA 50nC@10V 125W(Tc) TO-247-3 TH 20.15mm H
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET N-CHANNEL 650V 17A TO247
MOSFET, N CH, 650V, 17A, TO 247; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):0.15ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-247; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.95 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time12 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant