STMicroelectronics STW25NM60ND
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW25NM60ND suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
Single N-Channel 600 V 0.16 Ohm 29 nC 160 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-247-3
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Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time30 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant