STMicroelectronics STW28NM50N
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-07-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
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STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
InfineonIPW50R199CPFKSA1
Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 550 V, 199 Mohm, 10 V, 3 V Rohs Compliant: Yes
InfineonIPW50R140CPFKSA1
Power MOSFET, N Channel, 550 V, 23 A, 0.13 ohm, TO-247, Through Hole
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW28NM50N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 500 V, 0.135 Ohm typ., 21 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STW28NM50N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 21 A, 500 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 500V, 0.158ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 500V, 21A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 500V; On Resistance Rds(on): 0.135ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Powe
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance158 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.735 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation150 W
Rds On Max158 mΩ
Resistance158 mΩ
Rise Time19 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time62 ns
Turn-On Delay Time13.6 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant