STMicroelectronics STW20N65M5
$ 1.03
Obsolete
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | STW20N65M5 | 158 | 20 | Tube | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | STW20N65M5 | 0 | 5 | Bulk | 5h | |||||||
| Microchip USA | STW20N65M5 | 2941 | 600 | Tray | 5h | |||||||
| Win Source | WS-STW20N65M5 | 31.000 | 30 | 14h | ||||||||
| Worldway Electronics | STW20N65M5 | 11.076 | 7 | Tube | 12h |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-03-07
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
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MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 / N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW20N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.160 Ohm typ., 18 A MDmesh(TM) V Power MOSFET in TO-247 package
STW20N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 18 A, 710 V, 3-PIN TO-247
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
130W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 45nC@ 10 V 1N 650V 190m¦¸@ 9A,10V 18A 1.345nF@100V TO-247-3
Conditioning & Interfaces |Stmicroelectronics STW20N65M5
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMICROELECTRONICS STW20N65M5 MOSFETS
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)18 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time7.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.345 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance168 MΩ
Rise Time7.5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time43 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant