STMicroelectronics STW30N65M5
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MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 / N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW30N65M5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 650 V, 0.125 Ohm, 22 A, MDmesh(TM) V Power MOSFET TO-247
STW30N65M5 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 22 A, 650 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 650V, 0.139ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh M5series, Vds=650 V, 22 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N-CH, 650V, 22A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 22A; Drain Source Voltage Vds: 650V; On Resistance Rds(on): 0.125ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -33.57%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance139 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.88 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation140 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation140 W
Rds On Max139 mΩ
Resistance139 mΩ
Rise Time8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time50 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant