STMicroelectronics STW10N95K5
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MOSFET N-CH 900V 5.7A TO247-3 N-Channel 900 V 5.7A (Tc) 89W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
InfineonIPW90R800C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3 N-Channel 900 V 6.9A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW10N95K5 suministradas por sus distribuidores.
STW10N95K5 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 950 V, 3-Pin TO-247
N-channel 950 V, 0.65 Ohm typ., 8 A Zener-protected SuperMESH(TM) 5 Power MOSFET in TO-247 package
Single N-Channel 950 V 130 W 22 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-247-3
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 950V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
130W(Tc) 30V 5V@ 100µA 22nC@ 10 V 1individualNChannel 950V 800mΩ@ 4A,10V 8A 630pF@100V TO-247-3 Through hole mounting 15.75mm(Length)
MOSFET, N-CH, 950V, 8A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 950V; On Resistance Rds(on): 0.65ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power D
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -4.31%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation130 W
Rds On Max800 mΩ
Rise Time14 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant