STMicroelectronics STW10NK80Z
$ 2.54
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.19%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STW10NK80Z desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar | |
 Ultra Librarian | SímboloFootprint | Descargar |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTW12NK80Z
N-channel 800 V, 0.65 Ohm, 10.5 A Zener protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW10NK60Z
N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in TO-247 package
InfineonSPW11N80C3FKSA1
Power MOSFET, General Purpose, N Channel, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Through Hole
InfineonIPW90R500C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 11A TO247-3 / N-Channel 900 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW10NK80Z suministradas por sus distribuidores.
N-channel 800 V, 0.78 Ohm, 9 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFETs in TO-247 package
STW10NK80Z N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 9 A, 800 V, 3-PIN TO-247
Power MOSFET, N Channel, 800 V, 9 A, 0.9 ohm, TO-247, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 800V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Power MOSFET Transistors N-Ch 800 Volt 9 Amp
STMicroelectronics NMOS MDmesh, SuperMESH, Vds=800 V, 9 A, TO-247, , 3
N-CH 800V 9A 900mOhm TO247-3 RoHSconf
Power MOSFETs, 800V, 9A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
MOSFET, N TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.78ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V; Power Dissipation
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -1.19%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Current Rating9 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance900 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance2.18 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max900 mΩ
Resistance900 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant