STMicroelectronics STW6N95K5
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Power MOSFET, General Purpose, N Channel, 800 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-247, Through Hole
InfineonIPW90R800C3FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 900 V, 6.9 A, 0.8 ohm, TO-247, Through Hole
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STW6N95K5 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 package
90W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 13nC@ 10 V 1N 950V 1.25¦¸@ 3A,10V 9A 450pF@100V TO-247-3 24.45mm
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFETs; STW6N95K5; STMICROELECTRONICS; 950 V; 9 A; 30 V; 90 W
N-channel 950 V, 1 Ω typ., 9 A Zener-protected SuperMESH™ 5 Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 and IPAK
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 950V, 1.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Power MOSFETs, 950V, 9A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Mosfet, N-Ch, 950V, 9A, 150Deg C, 90W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9A; Drain Source Voltage Vds:950V; On Resistance Rds(On):1Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW6N95K5
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -35.43%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance1.25 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance450 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max1.25 Ω
Resistance1.25 Ω
Rise Time12 ns
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant