STMicroelectronics STU5N95K3
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- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage950 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)950 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance460 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage950 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation90 W
Rds On Max3.5 Ω
Rise Time7 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height6.9 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant