STMicroelectronics STD5NM60-1
$ 1.25
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STD5NM60-1 | 3000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | STD5NM60-1 | 3000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | 497-STD5NM60-1-ND | 62 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STD5NM60-1 | 123 | 1 | 13h | ||||||||
| Avnet | STD5NM60-1 | 0 | 3K | 1d |
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Tendencia de 3 meses: -0.48%
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N-channel 800 V, 0.95 Ohm, 6.5 A MDmesh(TM) Power MOSFET in IPAK package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD5NM60-1 suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 600V - 0.9Ohm - 8A MDmesh(TM) POWER MOSFET
N-CHANNEL 650V @TJMAX-0.9 OHM-8A IPAK MDMESH POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA
Mosfet, N Channel, 600V, 5A, To-251; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:5A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STD5NM60-1
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Tendencia de 3 meses: -0.48%
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)5 A
Current Rating8 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance1 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation96 W
Rds On Max1 Ω
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)650 V
Dimensions
Height6.2 mm
Length6.6 mm
Width2.4 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant