STMicroelectronics STP80NF10FP
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1980-01-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTP75NF75FP
N channel 75 V, 0.0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Power MOSFET in TO-220FP package
InfineonIPP70N10S312AKSA1
100V, N-Ch, 12.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T, PG-TO220-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP80NF10FP suministradas por sus distribuidores.
N-Channel 100V - 0.012Ohm - 80A - TO-220FP LOW GATE CHARGE STripFET(TM) POWER MOSFET
STP80NF10FP N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 80 A, 100 V, 3-PIN TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220FP Polarity: N Power dissipation: 45 W
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 100V, 38A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.012ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Po
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)38 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time60 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max15 mΩ
Resistance15 MΩ
Rise Time80 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time134 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height20 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant