STMicroelectronics STP4N52K3
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTF2HNK60Z
N-channel 600 V, 4.4 Ohm, 2 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STMicroelectronicsSTP3NK60ZFP
N-CHANNEL 600V - 3.3 Ohm - 2.4A TO-220FP Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP4N52K3 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 525 V, 2.5 A, 2.1 Ohm typ., SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220 package
N-Channel 525 V 2.6 Ohm Flange Mount PowerMesh Power MosFet - TO-220
Power MOSFET, N Channel, 525 V, 2.5 A, 2.1 ohm, TO-220FP, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 525V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
45W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 11nC@ 10 V 1N 525V 2.6¦¸@ 1.25A,10V 2.5A 334pF@100V TO-220
MOSFET, N CH, 525V, 2.5A, TO 220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:525V; On Resistance Rds(on):2.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:20W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage525 V
Drain to Source Resistance2.6 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)525 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance334 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage525 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation20 W
Rds On Max2.6 Ω
Resistance2.6 Ω
Rise Time7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant