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onsemi FQPF2N60C

Power Mosfet, N-channel, Qfet®, 600 V, 2 A, 4.7 Ω, TO-220F
$ 0.697
EOL
Ficha técnica
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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Verical
5
FQPF2N60C
4172
447
USD
0,697
0,621
Avnet
FQPF2N60C
10.455
910
USD
0,733
0,699
20h
Rochester Electronics
2
FQPF2N60C
12.360
USD
0,671
0,557
0,497
18h
Flip Electronics
FQPF2N60C
10.455
14h
Component Stockers USA
FQPF2N60C
22.063
USD
0,590
0,590
0,560
0,500
0,500
7d

Fichas técnicas y documentos

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Technical Drawing1 páginasHace 5 años

Farnell

IHS

onsemi

Newark

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
onsemiFQPF2N60C
onsemiFQPF2N60
Price @ 1000
$ 0.697
$ 0.483
Stock
265,682
183,349
Authorized Distributors
4
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220
TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
600 V
Continuous Drain Current (ID)
2 A
1.6 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
4.7 Ω
4.7 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
23 W
28 W
Input Capacitance
235 pF
350 pF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-10-02
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)

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Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
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Trans MOSFET N-CH 600V 2.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
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onsemiFQPF4N50
MOSFET N-CH 500V 2.3A TO-220F
Detalles

Descripciones

Descripciones de onsemi FQPF2N60C suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 600 V, 2 A, 4.7 Ω, TO-220F
onsemi
N-Channel 600 V 4.7 Ohm Flange Mount Mosfet - TO-220F
Future Electronics
600V 2A 4.7´Î@10V1A 23W 4V@250Ã×A N Channel TO-220F(TO-220IS) MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 4.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Semicontronic
MOSFET, N, TO-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):4.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:23W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220F; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2A; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220F; Power Dissipation Pd:23W; Power Dissipation Pd:23W; Pulse Current Idm:8A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:30V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Fairchild Semiconductor

Imágenes

Augswan
RS
TME
Farnell
South Microelectronics
iiiC
iiiC
Future Electronics
Conrad
LZChips
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd