STMicroelectronics STF3N62K3
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Tendencia de 3 meses: -8.00%
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Fichas técnicas y documentos
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STF3N62K3 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 620 V, 2.2 Ohm typ., 2.7 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-220FP package
STF3N62K3 N-channel MOSFET Transistor, 2.7 A, 620 V, 3-Pin TO-220FP
N-Channel 620 V 2.5 Ohm Flange Mount SuperMESH III Mosfet - TO-220FP
Power MOSFET, N Channel, 620 V, 2.7 A, 2.2 ohm, TO-220FP, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 620V 2.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 620V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N CH, 620V, 2.7A, TO 220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:620V; On Resistance Rds(on):2.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3.75V; Power Dissipation Pd:20W; Transistor Case Style:TO-220FP; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -8.00%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage620 V
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)620 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time15.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance385 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage620 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs3.75 V
Number of Elements1
Power Dissipation45 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time6.8 ns
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time22 ns
Turn-On Delay Time9 ns
Dimensions
Height16.4 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant