STMicroelectronics STP18NM60N
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N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 15 A, 260 mΩ, TO-220
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STP18NM60N suministradas por sus distribuidores.
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MOSFET, N CH, 600V, 13A, TO 220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 13A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.26ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance285 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time25 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation110 W
Rds On Max285 mΩ
Resistance285 mΩ
Rise Time15 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height15.75 mm
Length10.4 mm
Width4.6 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant