STMicroelectronics STD3N40K3
$ 0.686
NRND
Precio y existencias
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | STD3N40K3 | 0 | 2500 | 8h | ||||||||
| Mouser | 511-STD3N40K3 | 1578 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Microchip USA | STD3N40K3 | 242 | 3500 | Tray | 22h | |||||||
| Win Source | WS-STD3N40K3 | 12.500 | 55 | 7h | ||||||||
| Worldway Electronics | STD3N40K3 | 28.105 | 7 | Tape & Reel | 6h |
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Tendencia de 3 meses: -7.07%
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Fichas técnicas y documentos
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 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-07-24
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
STMicroelectronicsSTD3NK50ZT4
N-CHANNEL 500V - 2.8 Ohm - 2.3A Zener-Protected SuperMESH MOSFET
VishayIRFR310PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 400V;RDS(ON) 3.6 Ohms;ID 1.7A;TO-252AA;PD 25W;VGS +/-20V
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD3N40K3 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 400 V, 2.7 Ohm typ., 2 A SuperMESH3(TM) Power MOSFET in a DPAK package
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
30W(Tc) 30V 4.5V@ 50¦ÌA 11nC@ 10 V 1N 400V 3.4¦¸@ 900mA,10V 2A 165pF@50V DPAK,TO-252,TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Hv Mosfet Mdmesh |Stmicroelectronics STD3N40K3
MOSFET N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3
Power MOSFETs, 400V, 2A, DPAK, Tape and Reel
STMicroelectronics SCT
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage400 V
Drain to Source Resistance3.4 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)400 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance165 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation30 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation30 W
Rds On Max3.4 Ω
Rise Time8 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant