onsemi FDD3N50NZTM
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2009-10-15
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 18 hours ago)
LTB Date2022-12-30
LTD Date2023-06-30
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 18 hours ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDD3N50NZTM suministradas por sus distribuidores.
N-Channel Power MOSFET, UniFETTM II, 500 V, 3 A, 2.5 Ω, DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; 40W; DPAK; UniFET™
MOSFET N-CH 500V DPAK / Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
500 V, 2.5 A, 2.5 OHM N-CHANNEL UNIFET II MOSFET Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
40W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 8nC@ 10 V 1individualNChannel 500V 2.5¦¸@ 1.25A,10V 2.5A 280pF@25V TO-252AA SMD mount 6.73mm*6.22mm*2.39mm
UniFETTM II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts..
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight260.37 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.5 A
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance280 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation40 W
Rds On Max2.5 Ω
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento