STMicroelectronics STB75NF20
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InfineonIRF3415SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRF3415STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRF640NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB75NF20 suministradas por sus distribuidores.
N-channel 200 V, 0.028 Ohm typ., 75 A STripFET(TM) Power MOSFET in D2PAK package
STB75NF20 N-channel MOSFET Transistor, 75 A, 200 V, 3-Pin D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 37 A, 0.028 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
N-channel 200V - 0.028 - 75A - D2PAK - TO-220 - TO-247 Low gate charge STripFET Power MOSFET
190W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 84nC@ 10 V 1N 200V 34m¦¸@ 37A,10V 75A 3.26nF@25V D2PAK 4.83mm
Trans MOSFET N-CH 200V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N CH, 200V, 75A, D2PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 37A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.028ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015); Current Id Max: 75A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Termination Type: Surface Mount Device; Transistor Type: Power MOSFET; Voltage Vds Typ: 200V; Voltage Vgs Max: 20V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Mosfet, N Ch, 200V, 75A, D2Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:37A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:200V; Resistencia De Activación Rds(On):28Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:3V |Stmicroelectronics STB75NF20
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance34 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.26 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation190 W
Rds On Max34 mΩ
Resistance34 mΩ
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time53 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.4 mm
Width9.35 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant