Infineon IRF3415SPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 7 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRF3415STRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
InfineonIRFS5615TRLPBF
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF3415SPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
In a Tube of 50, IRF3415SPBF N-Channel MOSFET, 43 A, 150 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 200 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
3.8W(Ta)，200W(Tc) 20V 4V@ 250µA 200nC@ 10 V 1individualNChannel 150V 42mΩ@ 22A,10V 43A 2.4nF@25V D2PAK SMD mount 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
N CHANNEL MOSFET, 150V, 43A, D2-PAK; Tra; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:43A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:200W; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D2-PAK; Current Id Max:43A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.75°C/W; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation on 1 Sq. PCB:3.8W; Pulse Current Idm:150A; SMD Marking:IRF3415S; Termination Type:SMD; Voltage Vds:150V; Voltage Vds Typ:150V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)43 A
Current Rating43 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance42 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Dual Supply Voltage150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time69 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance42 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max42 mΩ
Recovery Time390 ns
Resistance42 MΩ
Rise Time55 ns
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time71 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Voltage Rating (DC)150 V
Dimensions
Height4.826 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento