Infineon IRF640NSTRLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.15 Ohm; Id 18A; D2PAK; Pd 150W; Vgs +/-20V; -55
$ 0.552
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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IRF640NSTRLPBF13.600800
4d
Newark
3
IRF640NSTRLPBF8241Cut Tape
Future Electronics
3
IRF640NSTRLPBF56.000800Tape & Reel
Arrow Electronics
4
IRF640NSTRLPBF15161
DigiKey
3
IRF640NSTRLPBFCT-ND15811Cut Tape

Fichas técnicas y documentos

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Newark

Datasheet11 páginasHace 15 años
Datasheet12 páginasHace 15 años

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

InfineonIRF640NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
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Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
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onsemiFQB19N20LTM
N-Channel Power MOSFET, Logic Level, QFET®, 200 V, 21 A, 140 mΩ, D2PAK
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InfineonIRFS4020TRLPBF
Single N-Channel 200 V 105 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
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InfineonIRF6215STRLPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -150V;RDS(ON) 0.29Ohm;ID -13A;D2Pak;PD 110W;VGS +/-20V
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STMicroelectronicsSTB19NF20
N-channel 200 V, 0.11 Ohm typ., 15 A MESH OVERLAY Power MOSFET in D2PAK package
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF640NSTRLPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.15Ohm;ID 18A;D2Pak;PD 150W;VGS +/-20V;-55
RS (Formerly Allied Electronics)
Transistor MOSFET N Channel 200 Volt 18 .6 Amp 3 Pin 2+ Tab D2pak Tape and Reel
Jameco
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R / MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Win Source
Single N-Channel 200V 0.15 Ohm 67 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 200 V, 18 A, 0.15 ohm, TO-263AB, Surface Mount
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:18A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:150W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF640NSTRLPBF.
Newark
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 18 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 150 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 5.5 / Rise Time ns = 19 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 10 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 150
Distrelec

Imágenes

Infineon
element14 APAC
Augswan
Newark
element14
South Microelectronics
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
RS
Conrad
Future Electronics
LCSC
Jameco
Rochester Electronics
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF640NSTRLPBF.
  • SP001561810