STMicroelectronics STB33N60DM2

N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
$ 2.25
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics STB33N60DM2.

Newark

Datasheet20 páginasHace 10 años
Datasheet20 páginasHace 10 años

STMicroelectronics

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-4.17%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics STB33N60DM2 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

STMicroelectronicsSTB35N60DM2
N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in D2PAK package
STMicroelectronicsSTB28N60DM2
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK / N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK / N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics STB33N60DM2 suministradas por sus distribuidores.

N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in D2PAK package
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK / N-Channel 600 V 24A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
N-Channel 600 V 130 mOhm Surface Mount DM2 Power Mosfet - D2PAK
190W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 43nC@ 10 V 1N 600V 130m¦¸@ 12A,10V 24A 1.87nF@100V D2PAK,TO-263
MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.11ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Dissipation Pd: 190W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 600V, 0.13ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics