STMicroelectronics STB33N60M2
$ 1.898
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | STB33N60M2 | 3000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | STB33N60M2 | 3000 | 1K | |||||||||
| Rochester Electronics | STB33N60M2 | 16.202 | 1d | |||||||||
| DigiKey | 497-14973-1-ND | 1060 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | STB33N60M2 | 0 | 1 | Cut Tape |
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB33N60M2 suministradas por sus distribuidores.
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Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)26 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.781 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation190 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation190 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time9.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time109 ns
Turn-On Delay Time16 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant