STMicroelectronics STB22NM60N
$ 2.595
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | STB22NM60N | 4235 | 1 | |||||||||
| Verical | STB22NM60N | 4235 | 3 | |||||||||
| Farnell | STB22NM60N | 0 | 1 | Cut Tape | 1d | |||||||
| Mouser | 511-STB22NM60N | 1019 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-STB22NM60N | 16.600 | 90 | 11h |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-07-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
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N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET D2PAK
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N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, D2PAK MDmesh(TM) II Power MOSFET
STMicroelectronicsSTB26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK package
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STB22NM60N suministradas por sus distribuidores.
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in D2PAK
STB22NM60N N-channel MOSFET Transistor, 16 A, 650 V, 2+Tab-Pin TO-263
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
125W(Tc) 30V 4V@ 100¦ÌA 44nC@ 10 V 1N 600V 220m¦¸@ 8A,10V 16A 1.3nF@50V D2PAK,TO-263
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N CH, 600V, 16A, 0.2OHM, TO263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 16A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance220 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation125 W
Rds On Max220 mΩ
Resistance220 mΩ
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time74 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height4.6 mm
Length10.75 mm
Width10.4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant