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STMicroelectronics SCT50N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
$ 19.251
Obsolete

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Future Electronics

Datasheet12 páginasHace 9 años

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

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Transistor MOSFET N-CH 1KV 4.3A 3-Pin (3+Tab) TO-247AC
Single N-Channel 900 V 2.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Single N-Channel 900 V 1.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics SCT50N120 suministradas por sus distribuidores.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 65 A, 59 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
TO-247-3 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
N-Channel 1200 V 59 mO 122 nC Silicon Carbide Power Mosfet - HiP247
Power Field-Effect Transistor, 65A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET
SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 65A, HIP247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:65A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:318W RoHS Compliant: Yes

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics