STMicroelectronics SCT30N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
$ 16.92
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsSCT30N1203462Tube
TME
2
SCT30N120161
14h
NewarkSCT30N12001
AvnetSCT30N1200600
19h
FarnellSCT30N1205761
16h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics SCT30N120.

STMicroelectronics

Datasheet13 páginasHace 13 años

Future Electronics

element14 APAC

Newark

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-02-15
LTD Date2026-08-15

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Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics SCT30N120 suministradas por sus distribuidores.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm (typ. TJ = 150 C) in an HiP247 package
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Mosfet, N Ch, 1.2Kv, 40A, Hip247-3; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:40A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:1.2Kv; Resistencia De Activación Rds(On):0.08Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):20V |Stmicroelectronics SCT30N120
Newark

Imágenes

Farnell
Newark
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TME
Lanka Micro
Future Electronics

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics