STMicroelectronics SCT10N120

Name: STMicroelectronics SCT10N120
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCT10N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

$ 6.72

Obsolete

Página del fabricante Ficha técnica

Precio y existencias

Distribuidores autorizados

Distribuidores no autorizados

Vendedores no autorizados

Ver todas las estructuras de precios

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SCT10N120	209	1		7,370	7,370	7,370	7,370	7,370
Verical		SCT10N120	10	10			6,720	6,720	6,720	6,720
TME	2	SCT10N120	56	1		9,720	8,850	8,850	8,850	8,850	23h
Avnet		SCT10N120	0	600					4,175	4,022	6d
Future Electronics		SCT10N120	0	30	Tube			4,420	4,260	4,190

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses: -16.98%

Modelos CAD

Descargar símbolo, footprint y 3D STEP

Componentes alternativos

0 piezas disponibles

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para STMicroelectronics SCT10N120.

Future Electronics

Datasheet14 páginasHace 9 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:

-16.98%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de STMicroelectronics SCT10N120 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGEN	eCAD	mCAD	ARCHIVOS
Component Search Engine	SímboloFootprint	3D	Descargar

La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD

Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2016-05-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 months ago)

Componentes relacionados

STMicroelectronicsSTW21N150K5

N-channel 1500 V, 0.7 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-247 packge

Detalles

STMicroelectronicsSCT20N120

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 package

Detalles

VishayIRFPF50PBF

Single N-Channel 900 V 1.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Detalles

VishayIRFPG50PBF

IRFPG50PBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 6.1 A, 1000 V, 3-PIN TO-247AC

Detalles

VishayIRFPG30PBF

Single N-Channel 1000 V 5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC

Detalles

STMicroelectronicsSTW10N105K5

Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Detalles

Descripciones

Descripciones de STMicroelectronics SCT10N120 suministradas por sus distribuidores.

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 package

STMicroelectronics

N-Channel 1200 V 520 mO 22 nC Silicon Carbide power Mosfet - HiP247

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 12A 3-Pin(3+Tab) HIP-247 Tube

Verical

Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 12 A, 1.2 kV, 0.5 ohm, HiP247

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

SIC MOSFET, N-CH, 1.2KV, 12A, HIP247-3; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:1.2kV; No. of Pins:3Pins; Rds(on) Test Voltage:20V; Power Dissipation:150W RoHS Compliant: Yes

Newark

Imágenes

Farnell

Lanka Micro

Future Electronics

Alias de fabricantes

STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres: