onsemi SMMBT3906LT1G
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38,654,388
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
TO-236-3
TO-236-3
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
250 MHz
250 MHz
250 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
400 mV
400 mV
400 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
300 mW
250 mW
250 mW
Cadena de suministros
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Diodes Inc.DDTA123JCA-7-F
DDTA Series 50 V 100 mA PNP Pre-Biased Small Signal SMT Transistor - SOT-23-3
Descripciones
Descripciones de onsemi SMMBT3906LT1G suministradas por sus distribuidores.
ON SEMI SMMBT3906LT1G PNP BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 40 V, 3-PIN SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); SMMBT3906LT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 40 V; 200 mA; 3
40V 300mW 100@10mA,1V 200mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
200 mA, 40 V PNP Bipolar Junction Transistor
SMMBT Series 40 V 800 mA SMT PNP Silicon General Purpose Transistor - SOT-23
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
onsemi PNP Transistor, SOT-23, SMD, -200mA Ic, -40V Vceo
TRANSISTOR, PNP, -40V, 0.225W, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency ft:250MHz; Power Dissipation Pd:225mW; DC Collector Current:-200mA; DC Current Gain hFE:30hFE;
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product250 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation300 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height1.11 mm
Length3.04 mm
Width2.64 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento