onsemi MMBT4403LT1G
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBT4403LT1G | 1.935.000 | 3K | 6h | ||||||||
| Future Electronics | MMBT4403LT1G | 1.485.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | MMBT4403LT1G | 31.548 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | MMBT4403LT1G | 27.841 | 1 | |||||||||
| Verical | MMBT4403LT1G | 1.317.000 | 20409 |
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Este componente
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Stock
44,622,004
7,840,232
7,840,232
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-23-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
-
40 V
40 V
Max Collector Current
600 mA
600 mA
600 mA
Transition Frequency
200 MHz
200 MHz
200 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
750 mV
-750 mV
-750 mV
hFE Min
100
20
20
Power Dissipation
225 mW
350 mW
350 mW
Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.75
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
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Descripciones
Descripciones de onsemi MMBT4403LT1G suministradas por sus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, PNP, SWITCHING, VCEO -40VDC, IC -600MA, PD 225MW, SOT-23
Bipolar Transistors (BJT); MMBT4403LT1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 3; 40 V; 600 mA
40V 300mW 100@150mA,2V 600mA PNP SOT-23(TO-236) Bipolar Transistors - BJT ROHS
MMBT Series 40 V 600 mA Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor - SOT-23
PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
Switching Transistor PNP Silicon VCEO=40V VEBO=5V IC=600mA SOT23
Trans Gp Bjt Pnp 40V 0.6A 3-Pin Sot-23 T/R - Tape And Reel Mmbt4403Lt1G)
TRANSISTOR, RF BIPOLAR; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -40V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 300mW; DC Collector Current: -600mA; DC Current Gain hFE: 200hFE; Transistor Ca
Rf Transistor, Pnp, -40V, 200Mhz, Sot-23, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:600Ma; Power Dissipation:225Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT4403LT1G.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
1 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Saturation Voltage750 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating-600 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency200 MHz
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency200 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation225 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency200 MHz
Voltage Rating (DC)-40 V
Dimensions
Height1.01 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento