onsemi NTD4965N-35G
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Este componente
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Price @ 1000
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$ 0.143
Stock
271,928
24,110
Authorized Distributors
2
1
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-251-3
TO-251-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
13 A
8.9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
4.7 mΩ
8 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
38.5 W
1.68 W
Input Capacitance
1.71 nF
1.3 nF
Cadena de suministros
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-10-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2016-05-06
LTD Date2016-11-07
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
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Single N-Channel Power MOSFET 30V, 79A, 3.7mΩ, DPAK INSERTION MOUNT, 75-TUBE
STMicroelectronicsSTD17NF03L-1
N-channel 30 V, 0.038 Ohm typ., 17 A STripFET II Power MOSFET in IPAK package
Descripciones
Descripciones de onsemi NTD4965N-35G suministradas por sus distribuidores.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 13A Ta 68A Tc 17.8A 38.5W 14.2ns
Single N-Channel Power MOSFET 30V, 68A, 4.7mΩ
Trans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-251-3
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance10 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.71 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation38.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation38.5 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time34.2 ns
Turn-Off Delay Time18.9 ns
Turn-On Delay Time12.1 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento